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Samsung 30nm DDR3 内存,下半年上市

冯莹   2010年02月03日 星期三 08:52 | 0条评论


早在多年以前,我们就已经见过   Samsung   展示   30nm 等级的 NAND 芯片 ,不过这项技术直到最近才算真正落实到量产的产品上头。继上个月所发表的   30nm 64GB moviNAND 及 32GB microSD   卡之后,紧接着发布的则是 2Gb 的 DDR3 DRAM 模块。和 50nm 制程相比,新制程不仅可以降低生产成本,耗电量也降低 30% 之多。

新制程的 DDR3 内存预定于今年下半年正式上市,因此各位看到这篇文章后可别急着在现在就敲破小猪扑满( 现在还有人用这个吗? )冲去抢购唷!  

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